（首尔24日讯）台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过韩国三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。

科技网站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在X平台的发文报道，三星的3纳米制程良率一开始虽然只有10至20%，但最近已拉升至3倍以上。

尽管三星如今3纳米制程良率已达30至60%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米制程寄予厚望，据传其效能、功耗及面积（Performance、Power、Area；PPA）相当于台积电的N3P。

Revegnus还表示，据消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率、逻辑区域，都较4纳米4纳米FinFET改善20至30%。

不过Wccftech在报道中直言，随着台积电今年积极将3纳米晶圆产能扩大到每月约10万片的规模，三星几乎没有机会赶上，“在过去的几年里，这家台湾半导体巨头（台积电）在这个领域几乎看不到竞争”。

报道中指出，三星必须将良率进一步提高70%，才能重拾高通等先前客户的信心。不过到目前为止，三星的3纳米GAA芯片只有加密挖矿行业客户的订单，并没有加入更多其他客户。很可能是因为许多公司对三星的早期样品印象不佳，因此决定在可预见的未来继续使用台积电。三星虽仍致力于做出调整，但要对其代工劲敌台积电构成威胁还需要一段时间。

新闻来源：中时新闻网