（北京30日讯）华为与合作伙伴中芯国际（SMIC），日前送交名为自对准多重图案化（SAQP）芯片专利，外界猜测是用5纳米级制程生产芯片。

不过美媒指出，华为和中芯国际可以使用深紫外光微影（DUV）曝光机和多重图案化生产3纳米芯片。

美国科技网站Tom's Hardware报道，华为在先进制程上步步推进，2023年10月推出让市场震撼、搭载中芯7纳米芯片的Mate 60高阶手机后，今年3月传出已往5纳米前进。

报道指出，与华为合作的国家支持芯片制造设备开发商SiCarrier，也获得了多重图案化技术的专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制程。

市场顾问公司TechInsights表示，虽然多重图案化技术可能让中国制造商生产5纳米级芯片，但另一至关重要的关键是曝光机，产业专家不讳言，从未想过在3纳米节点上使用多重图案化技术。

由于中芯国际受限于不能使用ASML的先进曝光设备，因此，只能“另辟蹊径”用多重图案化来实现这一目标。

从制程看，7纳米制程金属间距为36到38纳米，5米制程缩小至30到32纳米，3纳米制程再缩至21到24纳米。以多重图案化在硅芯片上反复蚀刻线路，提高电晶体密度、降低功耗并增强性能。

尽管多重图案化有优势，但也相当有挑战性。专家指出，英特尔先前为了避免依赖曝光机，在2019年至2021年的第一代10纳米制程上，也做过同样的方式，但最后宣告失败，主要在于良率问题。

但对于中芯国际来说，多重图案化对于半导体技术的进步是必要的，从而能够生产更复杂的芯片，包括用于消费设备的下一代海思麒麟处理器和用于人工智慧伺服器的昇腾处理器。

以成本来说，多重图案化生产5或3纳米芯片单个成本一定更高，商用设备可行性降低，但这项技术除了帮助中国半导体进步，也对超级电脑等应用及潜在军武发展相当重要。

新闻来源：世界新闻网