（东京27日讯）据日经新闻指出，日本专业拆解公司分析拆解报告表示，中国半导体实力进步、已逼近到仅落后台积电3年水平。

此外，美国的管制措施，仅稍微拖慢中国的技术革新，但却刺激了中国半导体行业的自家生产脚步。

该报道指出，每年拆解约100项电子机器产品的半导体调查公司TechanaLye社长清水洋治表示，中国半导体实力进步、已逼近到仅落后台积电3年的水平。

清水洋治以2024年4月开卖的华为最新智慧手机“Huawei Pura 70 Pro”的应用处理器“KIRIN 9010”，和2021年的华为高性能智慧手机用的“KIRIN 9000”为例。

他说，“KIRIN 9010”由华为旗下海思半导体设计、中国晶圆代工大厂中芯采用7奈米技术进行量产，而“KIRIN 9000”则由海思半导体设计、台积电2021年时以5奈米技术进行量产。

报道指出，一般来说，电路线幅变细，半导体处理性能就会变高、芯片面积变小，而据清水洋治指出，中芯采用7奈米量产的芯片面积为118.4平方毫米、和台积电5奈米芯片面积（107.8平方毫米）差距不大，不过处理性能却几乎相同。

清水洋治表示，双方在良率上虽有落差，但光从出货的芯片性能来看，中芯的实力逼近到仅落后台积电3年，而中芯采用7奈米技术，却能达到和台积电5奈米同等的性能，显示海思半导体的设计能力进一步扬升。

美国管制范围仅限AI？

据报道，除了存储器、感射器外，Pura 70 Pro合计搭载了37个主要半导体产品，其中海思半导体负责14个、其他中国厂商负责18个，非中国制产品仅DRAM（SK Hynix）、运动传感器（Bosch）等5个，也就是说、高达86%半导体为中国制。

关于中国能自家生产如此广泛的半导体产品，清水洋治认为，这代表美国管制对象，实质上仅限于使用在AI等用途的服务器用先进半导体。只要不构成军事威胁，美国应该就会容许。