（台北6日讯）台积电将和韩国三星电子在高频宽记忆体（HBM）领域上进行合作！

台积电生态系与联盟管理主管Dan Kochpatcharin周四（5日）在“SEMICON Taiwan 2024”半导体展上宣布，三星电子和台积电正在共同研发一款无缓冲的HBM4芯片。分析师指出，这是台积电和三星电子首次提及HBM合作。

综合韩国媒体《Business Korea》、《韩国经济日报》报道，三星电子和台积电，是晶圆代工制造领域上的竞争对手，不过这次将携手在HBM领域上进行合作，共同开发HBM的技术和服务，预计将从无缓冲HBM4芯片开始，计划2025年下半年量产，三星并打算借由双方合作，为英伟达、Google等客户供应“客制化芯片与服务”。

分析人士表示，若三星、台积电决定共同合作开发无缓冲HBM4芯片，将是2家公司在AI芯片领域首次合作。

Dan Kochpatcharin表示，随着记忆体制程愈来愈复杂，跟伙伴的合作，变得比以往任何时候都更加重要

三星记忆体事业部负责人Jung-bae Lee，于周二（3日）在“SEMICON Taiwan 2024”发表主题演说时曾透露，三星正在跟其他晶圆代工商合作，提供超过20个客制化解决方案。但当时他并没有回答哪些代工伙伴合作。

消息人士称，虽然三星有能力提供HBM4的一站式服务，从记忆体生产、代工和先进封装等，但三星希望利用台积电的技术，来获得更多客户。

消息人士透露，有些客户更喜欢台积电所生产的逻辑晶粒（logic die）。此外，从HBM4开始，制程复杂度显著增加，并且需要满足各种客户需求。

三星正努力追赶同样来自韩国的竞争对手“SK海力士”（SK Hynix）。SK海力士是HBM领域的主导业者，在AI芯片市场占比高达53%，而三星则占比35%。

为了巩固其领先地位，SK海力士早在4月就宣布，要跟台积电合作生产HBM4芯片，预计会在2026年量产。

HBM4是第6代HBM芯片，三星、SK海力士、美光（Micron Technology） 等主要记忆体厂商最快在2025年就可量产，来供应给英伟达（Nvidia） 等AI芯片设计商来使用。

新闻来源：自由时报